Vídeo: #1 Transistor de Efeito de Campo - Mosfet - Canal N e Canal P 2025
Um transistor de efeito de campo (FET) consiste em um canal de material semicondutor de tipo N ou P através do qual a corrente pode fluir, com um material diferente (colocado em uma seção do canal) controlando a condutividade do canal.
Uma extremidade do canal é conhecida como a fonte , a outra extremidade do canal é chamada de drenagem , e o mecanismo de controle é chamado de portão . Ao aplicar uma voltagem ao portão, você controla o fluxo de corrente da fonte para o dreno. As ligações estão ligadas à fonte, drenagem e portão. Alguns FETs incluem um quarto lead para que você possa aterrar parte do FET para o chassi do circuito. (Mas não confunda essas criaturas de quatro pernas com MOSFET de porta dupla, , que também possuem quatro pistas.)
Os FET (pronunciados "fetts") vêm em dois sabores - canal N e canal P - dependendo do tipo de material semicondutor (tipo N ou tipo P, respectivamente) através do qual a corrente fluxos. Existem dois principais subtipos de FET: MOSFET (FET de metal-óxido-semicondutor) e JFET (FET de junção). Qual é o que depende de como o portão é construído - o que resulta, por sua vez, em diferentes propriedades elétricas e diferentes usos para cada tipo.
Os FET (particularmente os MOSFETs) tornaram-se muito mais populares do que os transistores bipolares para uso em circuitos integrados ( CI ), onde milhares de transistores trabalham juntos para executar uma tarefa. Isso é porque eles são dispositivos de baixa potência cuja estrutura permite que milhares de MOSFET de canal N e P sejam amontoados como sardinhas em um único pedaço de silício (isto é, material semicondutor).
A descarga eletrostática (ESD) pode danificar FETs. Se você comprar FETs, certifique-se de mantê-los em uma bolsa ou tubo antiestático - e deixe-os lá até que esteja pronto para usá-los.
